SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 5.0 x4) (MZ-VAP1T0BW)

Name: SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 5.0 x4) 1Tb Samsung 9100 PRO (R14800/W13400MB/s) 1year
Brand: SAMSUNG
SKU: MZ-VAP1T0BW
Price: 20200 RUB
Availability: InStock

Ссылка скопирована!

Код товара: 832948

SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 5.0 x4) 1Tb Samsung 9100 PRO (R14800/W13400MB/s) 1year

Артикул: MZ-VAP1T0BW

Бренд: SAMSUNG

Гарантия: 12 мес.

Вы можете обратиться к нашим менеджерам за информацией по электронной почте info@tekhland.ru. или по телефону 8(495)663-8800

Модификация

Краткие характеристики

Тип

SSD
Исполнение

Внутреннее
Тип оперативной памяти

V-NAND TLC
Интерфейс твердотельного накопителя

PCI-E
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

13300/14700
MTBF

1500000 ч
Ресурс TBW (TB)

600

Посмотреть все характеристики

20 200 ₽

● В наличии

В избранное

Сравнение

Самовывоз

Доставка по Москве и МО

Доставка в регионы России

Подробнее о доставке

Характеристики

Документация1

Сертификаты1

Основные характеристики

Исполнение

Внутреннее

Бренд

SAMSUNG

Тип жесткого диска

SSD

Объем накопителя

1 ТБ

Форм-фактор

M.2 2280

Тип памяти NAND

TLC

Максимальная скорость чтения

14700 МБ/с

Максимальная скорость записи

13300 МБ/с

Время наработки на отказ

1500000 ч

Поддержка NVMe

Да

Ресурс TBW

600 ТБ

Потребляемая мощность

8.1 Вт

Мощность в режиме ожидания

7.6 Вт

Толщина товара

2.38 мм

Назначение

для ПК/ноутбука

Тип памяти

V-NAND TLC

Модель

Тип

SSD

Артикул Производителя

MZ-VAP1T0BW

Модель

9100 Pro

Корпус

Цвет

Черный

Ширина товара

22.15 мм

Длина товара

80.15 мм

Память

Тип оперативной памяти

V-NAND TLC

Назначение

Для геймеров

Да

Разъемы и интерфейсы

Интерфейс

PCIe 5.0 x4

Разъем

M.2 2280

Упаковка

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.14x0.1x0.02 м

Вес упаковки (ед)

0.12 кг

Объем упаковки (ед)

0.00028 м3

Дополнительно

Интерфейс твердотельного накопителя

PCI-E

Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

13300/14700

MTBF

1500000 ч

Ресурс TBW (TB)

600

Комментарий

Размеры (ШxВxГ): 80.15x22.15x2.38 мм

Поддержка TRIM

Да

Ключ M.2 разъема

DRAM буфер

Да

Объем DRAM буфера

4096 МБ

Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

1850000

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

2600000

Вес устройства

9 грамм

Ударостойкость при работе

1500 G

Ударостойкость при хранении

1500 G

Структура памяти NAND

Название	Тип	Дата начала	Дата окончания
Накопитель SSD Samsung PCIe 5.0 x4 1TB MZ-VAP1T0BW 9100 PRO M.2 2280	НИП KZ .ФСБ.0000010357	02.04.2025	30.12.2031

Накопитель SSD Samsung PCIe 5.0 x4 1TB MZ-VAP1T0BW 9100 PRO M.2 2280

НИП KZ .ФСБ.0000010357 02.04.2025 до 30.12.2031

Тип

Название

Технические характеристики

Samsung_NVMe_SSD_9100_PRO_Datasheet_Rev.1.0.pdf

Технические характеристики

Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru

Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Неточности в описании не являются основанием для возврата и понижения цены. Уточняйте спецификацию и наличие на складе у менеджеров нашей компании info@tekhland.ru