Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru
Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe) 500Gb Samsung (MZ-V8P500BW)
Код товара: 803488
Бренд: SAMSUNG
Гарантия: 12 мес.
Гарантийные условия
Обязательства по гарантийному обслуживанию несут авторизованные сервисные центры ТЕХЛАНД. Гарантийный срок исчисляется с даты накладной/УПД между ТЕХЛАНД и партнером. Гарантия осуществляется по серийным номерам.
Диски, приобретенные до февраля 2022 года, обслуживаются в авторизованных СЦ Samsung.
Краткие характеристики
-
Тип
SSD -
Исполнение
Внутреннее -
Форм-фактор
M.2 -
Тип оперативной памяти
MLC -
Объем накопителя, Гб
н/д Гб -
Интерфейс
PCI-E -
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с
5000/6900
-
Тип
SSD -
Форм-фактор
M.2 -
Бренд
SAMSUNG -
Серия
980 PRO -
Модель
MZ-V8P500BW -
Артикул Производителя
MZ-V8P500BW -
Тип памяти NAND
3D TLC -
Ключ M.2 разъема
M -
Тип оперативной памяти
MLC -
Объем накопителя, Гб
н/д Гб -
Тип жесткого диска
SSD -
Поддержка NVMe
Да -
Поддержка NVMe
Да -
Потребляемая мощность
7.4 Вт -
Потребляемая мощность
7.4 Вт -
Исполнение
Внутреннее -
Форм-фактор
M.2 -
Толщина товара
2.38 мм -
Ширина товара
22.15 мм -
Длина товара
80.15 мм -
Для ПК/ноутбука
Да -
Вес упаковки (ед)
0.12 кг -
Длина упаковки (ед)
0.145 м -
Ширина упаковки (ед)
0.099 м -
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.145x0.099x0.021 м -
Высота упаковки (ед)
0.021 м -
Объем упаковки (ед)
0.000301455 м3 -
Интерфейс
PCI-E -
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с
5000/6900 -
MTBF
1500000 ч -
Категория Применения
500GB -
Максимальная скорость чтения
6900 МБ/с -
Максимальная скорость записи
5000 МБ/с -
Время наработки на отказ
1500000 ч -
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
800000 -
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
1000000 -
Мощность в режиме ожидания
0.035 Вт -
Контроллер NAND
Samsung Elpis -
Ресурс TBW
300 ТБ -
Разъем
M.2 -
Ударостойкость при работе
1500 G -
Ударостойкость при хранении
1500 G -
Объем кэш-памяти SSD
0.5 ГБ -
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
1000000 -
DRAM буфер
Да -
Объем DRAM буфера
512 МБ -
Поддержка TRIM
Да -
Вес устройства
9 грамм -
Интерфейс твердотельного накопителя
PCI-E -
Форм-фактор твердотельного накопителя
M.2 -
Тип памяти
MLC -
Размер твердотельного накопителя
н/д Гб
Основные характеристики
Особенности
Оперативная память
Устройства хранения данных
Дисковые контроллеры
Питание
Энергопотребление
Корпус
Назначение
Упаковка
Название | Тип | Дата начала | Дата окончания |
---|---|---|---|
SSD-накопители Samsung, модели: MZ-76E250, MZ-76E250BW, MZ-76E500, MZ-76E500BW, MZ-76E1T0, MZ-76E1T0... | Сертификат соответствия | 10.06.2020 | 09.06.2025 |
Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru
Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Неточности в описании не являются основанием для возврата и понижения цены. Уточняйте спецификацию и наличие на складе у менеджеров нашей компании info@tekhland.ru